频率 f1 = 200MHz:在该频率点,曲线对应的位置位于圆图的左下方区域,靠近等电阻圆 r = 0.2 和等电抗圆 x = -0.8 的交点附近。根据史密斯圆图的转换规则,将归一化阻抗值转换为实际阻抗值。归一化阻抗 Z = r + jx = 0.2 - j0.8,已知系统特征阻抗 Z0 = 50Ω,则实际阻抗 Z = Z0×(r + jx) = 50×(0.2 - j0.8) = 10 - j40Ω。这表明在 200MHz 时,被测电路呈现出低电阻、高容性电抗的特性。容性电抗的存在意味着电路中可能存在电容元件或者分布电容的影响,这种阻抗特性会导致信号在传输过程中产生较大的反射,影响信号的传输效率。
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频率 f2 = 500MHz:此时曲线位于圆图的右侧,接近等电阻圆 r = 1.5 和等电抗圆 x = 0.5 的交点。同样进行归一化到实际阻抗的转换,Z = Z0×(r + jx) = 50×(1.5 + j0.5) = 75 + j25Ω,说明在 500MHz 时,被测电路的阻抗为感性阻抗,电阻值相对较大,感性电抗的存在可能是由于电路中的电感元件或者分布电感引起的。虽然此时的反射相对较小,但阻抗与系统特征阻抗不匹配,仍会造成一定的信号损耗。
频率 f3 = 800MHz:曲线回到靠近圆心的位置,归一化阻抗约为 0.9 + j0.1,转换后实际阻抗 Z = 50×(0.9 + j0.1) = 45 + j5Ω。该频率点下,电路的阻抗已经比较接近系统特征阻抗 50Ω,反射较小,信号传输效率相对较高。但仍存在一定的偏差,通过合适的匹配网络可以进一步优化。
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