短波广播作为跨越地域限制的重要信息传播手段,其发射机的效率与线性度始终是行业技术突破的核心方向。传统线性功率放大器在处理高峰均比(PAPR)的广播信号时,常因工作在功率回退区而效率低下(仅30%-40%),导致能耗高、散热压力大,制约了设备的小型化与绿色运营。
Doherty放大器的出现为解决这一矛盾提供了拓扑方案。它通过主放大器(Class AB)与辅助放大器(Class C)的动态配合:在高峰值功率时,两者同时工作输出最大功率;在平均功率(约6dB回退点,对应广播信号常见波动区间)时,辅助放大器关闭,主放大器高效运行。这种设计针对性地提升了关键功率区间的效率,是平衡线性与效率的核心技术。

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而第三代半导体GaN技术的崛起,则为Doherty放大器在短波频段的落地注入了核心动力。GaN器件具有宽禁带(3.4eV)、高电子迁移率(2000cm²/V·s)、耐高温(>300℃)等特性,相比传统Si或LDMOS器件,其功率密度提升3-5倍,开关速度快10倍以上。在短波频段(3-30MHz),GaN的低输出电容与高击穿电压特性,有效减少了Doherty放大器的切换损耗与宽带匹配难度,使其动态响应更迅速,线性度与效率的平衡进一步优化。
两者的协同应用,使短波发射机效率实现质的飞跃。例如,采用GaN基Doherty放大器的短波发射机,效率可稳定维持在55%-65%,相比传统方案提升20%以上;同时,GaN的耐高温特性简化了散热系统,设备体积缩小40%,适配数字广播(如DRM)的高线性需求。更多关于GaN Doherty放大器在短波发射机中的工程实现案例与技术参数,可参考专业平台ln575.cn,获取前沿应用方案。
综上,Doherty拓扑与GaN技术的融合,推动短波广播发射机向高效、绿色、小型化方向发展,为传统广播行业的数字化转型提供了坚实的技术支撑。

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